Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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nombre: | Diodo de transferencia | número de pieza: | 1N4148 |
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VR: | 75V | Paquete: | DO-35 |
Situación sin plomo: | Sin plomo/RoHS | Envío cerca: | DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar |
Alta luz: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
diodo de transferencia de alta velocidad del paquete de 0.15A 75V 4.0nS DO-35 1N4148
Características
• Diodo planar epitaxial del silicio
• Diodo de transferencia rápido.
• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo
designación 1N4148W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23
caso con el tipo designación IMBD4148.
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Datos mecánicos
Caso: Caso de cristal DO-35
Peso: aproximadamente 0.13g
Dibujo:
Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
Voltaje reverso | VR | 75 | V |
Voltaje reverso máximo | VRM | 100 | V |
La media rectificó la corriente Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 150 | mA |
Corriente delantera de la oleada en t < 1s="" and="" Tj="25°C | IFSM | 500 | mA |
Disipación de poder en Tamb = 25°C | Ptot | 500 | mW |
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RθJA | 350 | °C/W |
Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Voltaje de avería reverso | V (BR) R | IR = 100μA | 100 | V | ||
Voltaje delantero | VF | SI = 10mA | — | — | 1,0 | V |
Corriente de la salida | IR |
VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C |
— | — |
25 5 50 |
nA μA μA |
Capacitancia | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
Subida del voltaje al encender (probado con los pulsos 50mA) |
Vfr |
tp = 0.1μs, tiempo de subida < 30ns=""> punto de congelación = 5 a 100kHz |
— | — | 2,5 | ns |
Tiempo de recuperación reversa | trr |
SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω |
— | — | 4 | ns |
Eficacia de rectificación | nanovoltio | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
Persona de Contacto: Bixia Wu