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Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
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Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados

SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits
SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits SMD 3A 1000V High Efficiency Diode HS3M Used For Integrated Circuits

Ampliación de imagen :  Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: XUYANG
Certificación: ISO9001/RoHS
Número de modelo: HS3M

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 3000pcs
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: cinta en el carrete, 3000pcs/reel
Tiempo de entrega: 5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago: T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente: 500000pcs/mes
Descripción detallada del producto
número de pieza: HS3M Actual: 3A
tensión: 1000v Paquete: SMC/DO-214AB
SPQ: 3000pcs Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
Alta luz:

high efficiency diode

,

alternator rectifier diode

Circuitos integrados usados HS3M altos del diodo de rectificador de la eficacia de SMD

 

CARACTERÍSTICAS

 

Microprocesador apaciguado vidrio del empalme.
Para la superficie uso montado
Caída de voltaje delantera baja
Paquete del perfil bajo
Alivio incorporado de la mancha, ideal para la colocación automática
Transferencia rápida para la eficacia alta
El soldar de la temperatura alta: segundos 260℃/10 en los terminales
El material plástico usado lleva la clasificación 94V-O del laboratorio de los suscriptores

 

DATOS MECÁNICOS

 

Casos: Plástico moldeado
Terminales: Soldadura plateada
Polaridad: Indicado por la banda del cátodo
El embalar: cinta de 12m m por E1A STD RS-481
Peso: 0,21 gramos

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

Valorando 25 otherwies de los uniess de la temperatura ambiente de C especificados.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.

MECANOGRAFÍE EL NÚMERO HS3A HS3B HS3D HS3F HS3G HS3J HS3K HS3M Unidad
Voltaje reverso máximo periódico máximo 50 100 200 300 400 600 800 1000 V
Voltaje máximo del RMS 35 70 140 210 280 420 580 700 V
Voltaje de bloqueo máximo de DC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V

Corriente adelante rectificada media máxima

.375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=55℃

3,0 A
Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) 150 A
Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A 1,0 1,3 1,7 V

Corriente reversa máxima Ta=25℃ de DC

en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃

10,0

 

200

μA

 

μA

Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) 50 75 nS
Capacitancia de empalme típica (nota 2) 80 50 PF
Gama de temperaturas TJde funcionamiento -55 +150
Gama de temperaturas TSTGde almacenamiento -55 +150


NOTAS:
1. condición de prueba del tiempo de recuperación reversa: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V

3. Montado en el PWB con 0,6"” (16 x 16 milímetros) áreas del cojín del cobre x0.6.

 

Dibujo:

Diodo HS3M de la eficacia alta de SMD 3A 1000V usado para los circuitos integrados 0

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La mejor garantía de calidad:

1. Original y nuevo solamente
2. La mayoría del precio competitivo y del mejor servicio
3. fuente de muestra y entrega rápida

4. Garantía de la calidad 90 días (ninguna artículos usada no se pueden devolver o substituir).

5. Tenemos la acción, recepción para recoger la muestra para la prueba.

 

Formas de pago:

· T/T

· Western Union

· Paypal

· el otro término del pago como usted como.

 

Manera del envío:

Envío internacional apresurado (FEDEX, DHL, UPS, TNT) costó normalmente 4-6 días

 

Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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