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Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow

Ampliación de imagen : Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	1SS133

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de transferencia de alta velocidad	número de pieza:	1SS133
VR:	80v	Paquete:	DO-34
Tiempo de recuperación reversa:	4ns	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow

Características
1. sobre sellado vidrio.
2. alta confiabilidad.
3. velocidad.

Usos
Transferencia de alta velocidad

Construcción
Planar epitaxial del silicio

Grados máximos absolutos
T_j =25℃

Parámetro	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje reverso de DC	VR	80	V
Revés máximo Voltage*1	VRM	90	V
Corriente de rectificación mala	Io	130	mA
Corriente delantera máxima	IFM	400	mA
Sobretensión (1s)	Isurge	600	mA
Disipación de poder	P	300	mW
Temperatura de empalme	Tj	175	°C
Temperatura de almacenamiento	TS	– 65 a +175	°C

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son tensión

grados solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica.

La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar al dispositivo

confiabilidad.

Características eléctricas
T_j =25℃

Parámetro	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje delantero	VF	SI = 100mA	—	0,92	1,0	V
Corriente reversa	IR	VR = 80V	—	0,02	0,5	μA
Capacitancia entre los terminales	C_T	VR = 0.5V, f =1.0 megaciclo	—	1,55	2	PF
Tiempo de recuperación reversa	trr	VR = 0.5V, SI = 10mA, RL = 50Ω	—	1,5	4	ns

Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow 0

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