Paquete del diodo de barrera de SMD Schottky B5817W B5818W B5819W SOD-123

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Name: Paquete del diodo de barrera de SMD Schottky B5817W B5818W B5819W SOD-123
Brand: XUYANG
SKU: B5817W B5818W B5819W

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de Schottky del smd	número de pieza:	B5817W B5818W B5819W
Actual:	1A	tensión:	20-40V
Paquete:	SOD-123	SPQ:	3000pcs
Situación sin plomo:	Sin plomo/RoHS	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	low leakage schottky diode , 1n5820 schottky diode

Paquete del diodo de barrera de SMD Schottky B5817W B5818W B5819W SOD-123

Con capacidades fuertes del R&D, el equipo de producción avanzado y dispositivos perfectos de la medida.

Suministramos productos calificados y servicio de acuerdo con el sistema de gestión de la calidad ISO9001.

Todos los productos han pasado la prueba peligrosa de la sustancia, estándares cumplidos de la UE y los E.E.U.U.

Características

Para el uso en la baja tensión, inversores de alta frecuencia

El rodar libre, y usos polanty de la protección

Datos mecánicos

Caso: Cuerpo de Moldedplastic

Terminales: Solde plateado capaz por MIL-STD-750, método 2026 de las ventajas

Polaridad: Símbolos de la polaridad marcados en caso

Marcado: B5817W: SJ, B5818W: SK, B5819W: SL

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Valorando 25 otherwies de los uniess de la temperatura ambiente de C especificados.

Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.

Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.

Parámetro	Símbolo	B5817S	B5818W	B5819W	UNIDADES
Voltaje reverso máximo periódico sin repetición	VRM	20	30	40	V
Voltaje reverso del RMS	VRRM VRWM VR	14	21	28	V
Voltaje reverso máximo repetidor máximo Voltaje reverso máximo de trabajo Voltaje de bloqueo de DC	VRM (RMS)	20	30	40	V
La media rectificó la corriente de salida	Io	1,0			A
Ms delantero máximo 8,3 de la sobretensión @	IFSM	9			A
Corriente delantera máxima repetidor	IFRM	1,5			A
Disipación de poder	Paladio	250			mW
Empalme de la resistencia termal a Ambiente	RθJA	500			K/W
Gama de temperaturas T STG de almacenamiento	TSTG	-65 +150			℃

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Máximo	Unidad
Voltaje de avería reverso	VBR	IR = 100mA B5817W B5818W B5819W	20 30 40		V
Corriente de la salida del voltaje reverso	IR	VR = 20V B5817W VR = 30V B5818W VR = 40V B5819W		1	mA
Voltaje delantero	VF	B5817W SI = 1A SI = 3A		0,45 0,75	V
		B5818W SI = 1A SI = 3A		0,55 0,875	V
		B5819W SI = 1A SI = 3A		0,6 0,9	V
Capacitancia de los diodos	CD	VR = 4V, f =1.0 megaciclo		120	PF