Diodos de rectificador de la barrera de B5819WS SMD Schottky 1A 40V SOD-323
Con capacidades fuertes del R&D, el equipo de producción avanzado y dispositivos perfectos de la medida.
Suministramos productos calificados y servicio de acuerdo con el sistema de gestión de la calidad ISO9001.
Todos los productos han pasado la prueba peligrosa de la sustancia, estándares cumplidos de la UE y los E.E.U.U.
Uso:
Los diodos de Schottky se aplican extensamente en circuitos electrónicos como los interruptores, inversores,
reguladores y conductores.
Datos mecánicos
Caso: Cuerpo de Moldedplastic
Terminales: Solde plateado capaz por MIL-STD-750, método 2026 de las ventajas
Polaridad: Símbolos de la polaridad marcados en caso
Marcado: B5817WS: SJ, B5818WS: SK, B5819WS: SL
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Valorando 25 otherwies de los uniess de la temperatura ambiente de C especificados.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.
| Parámetro |
Símbolo
|
B5817WS |
B5818WS |
B5819WS |
UNIDADES |
| Voltaje reverso máximo periódico sin repetición |
VRM
|
20 |
30 |
40 |
V |
| Voltaje reverso del RMS |
VRRM
VRWM
VR
|
14 |
21 |
28 |
V |
|
Voltaje reverso máximo repetidor máximo
Voltaje reverso máximo de trabajo
Voltaje de bloqueo de DC
|
VRM (RMS) |
20 |
30 |
40 |
V |
| La media rectificó la corriente de salida |
Io
|
1,0 |
A |
| Ms delantero máximo 8,3 de la sobretensión @ |
IFSM
|
25 |
A |
| Corriente delantera máxima repetidor |
IFRM
|
625 |
mA |
| Disipación de poder |
Paladio
|
250 |
mW |
|
Empalme de la resistencia termal a
Ambiente
|
RθJA
|
500 |
℃/W |
| Gama de temperaturas T STG de almacenamiento |
TSTG
|
-65 +150 |
℃ |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro |
Símbolo |
Condición de prueba |
Minuto |
Máximo |
Unidad |
| Voltaje de avería reverso |
VBR |
IR = 100mA B5817WS
B5818WS
B5819WS
|
20
30
40
|
|
V |
| Corriente de la salida del voltaje reverso |
IR |
VR = 20V B5817WS
VR = 30V B5818WS
VR = 40V B5819WS
|
|
1 |
mA |
| Voltaje delantero |
VF |
B5817WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,45
0,75
|
V |
| |
|
B5818WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,55
0,875
|
V |
| |
|
B5819WS SI = 1A
SI = 3A
|
|
0,6
0,9
|
V |
| Capacitancia de los diodos |
CD |
VR = 4V, f =1.0 megaciclo |
|
120 |
PF |
Tamaño:
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