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Diodo de barrera de 10MQ100N SMD Schottky para la protección reversa de la batería

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Diodo de barrera de 10MQ100N SMD Schottky para la protección reversa de la batería

Ampliación de imagen : Diodo de barrera de 10MQ100N SMD Schottky para la protección reversa de la batería

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	10MQ100N

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en el carrete, 3000pcs/reel
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de Schottky del smd	número de pieza:	10MQ100N
Actual:	2.1A	tensión:	100V
Paquete:	SMA/DO-214AC	SPQ:	5000pcs
Situación sin plomo:	Sin plomo/RoHS	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	low leakage schottky diode , 1n5820 schottky diode

Diodo de barrera de 10MQ100N SMD Schottky con el caso de 100V 2.1A DO214AC

Con capacidades fuertes del R&D, el equipo de producción avanzado y dispositivos perfectos de la medida.

Suministramos productos calificados y servicio de acuerdo con el sistema de gestión de la calidad ISO9001.

Todos los productos han pasado la prueba peligrosa de la sustancia, estándares cumplidos de la UE y los E.E.U.U.

Características

El rectificador de Schottky del soporte de la superficie 10MQ100N se ha diseñado para los usos que requerían punto bajo

el descenso delantero y el pie muy pequeño imprime en los tableros de PC. Los usos típicos están en accionamientos de disco,

fuentes de alimentación de la transferencia, convertidores, diodos despreocupados, batería que carga, y batería reversa

protección.

1. Pequeña impresión del pie, superficie aumentable
2. caída de voltaje delantera baja
3. operación el de alta frecuencia
4. anillo de guardia para la confiabilidad aumentada la aspereza y del largo plazo

Grados y características importantes

Características	10MQ100N	Unidades
I F DC	2,1	A
VRRM	100	V
IFSM @ tp de = seno 5 μs	120	A
VF @ 1.5Apk, TJ=125°C	0,68	V
Gama de TJ	- 55 a 150	°C

Grados del voltaje

Número de parte	10MQ100N
Voltaje Reverso de VR Max. DC (v)	100
Voltaje reverso de VRWM Max. Working Peak (v)	100

Grados máximos absolutos

Tamaño:

Diodo de barrera de 10MQ100N SMD Schottky para la protección reversa de la batería 0

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Persona de Contacto: Bixia Wu