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8A 80 - diodo de rectificador de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con el paquete de D2PAK

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
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8A 80 - diodo de rectificador de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con el paquete de D2PAK

8A 80 - 100V Schottky Rectifier Diode 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF With D2PAK Package
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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: XUYANG
Certificación: ISO9001/RoHS
Número de modelo: 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5000e
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: cinta en el carrete, 800pcs/reel
Tiempo de entrega: 15 - 20 días del trabajo
Condiciones de pago: T / T, Western Union
Capacidad de la fuente: 100000pcs por 1 semana
Descripción detallada del producto
nombre: diodo Schottky número de pieza: 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF
Si: 8A tensión: 80-100V
Paquete: D2PAK/TO-262 Temperatura de empalme: -55-175°C
Alta luz:

low leakage schottky diode

,

1n5820 schottky diode

8A 80 - diodo de rectificador de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con el paquete de D2PAK

 

 

CARACTERÍSTICAS

 

El 8TQ. La serie del rectificador de Schottky se ha optimizado para la salida reversa baja en la temperatura alta.

La tecnología propietaria de la barrera permite la operación confiable hasta temperatura de empalme de 175° C.

Los usos típicos están en fuentes de alimentación de la transferencia, convertidores, diodos despreocupados, y revés
protección de la batería.
* operación de 175° C TJ
* pureza elevada, encapsulación de epoxy da alta temperatura para la fuerza mecánica aumentada y

resistencia de humedad
* caída de voltaje delantera baja
* operación de alta frecuencia
* anillo de guardia para la confiabilidad aumentada la aspereza y del largo plazo
* sin plomo (sufijo de “PbF”)

 

GRADOS Y CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES
SÍMBOLO CARACTERÍSTICAS VALORES UNIDADES
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Forma de onda rectangular 8 A
VRRM   80-100 V
IFSM @ tp de = seno 5 μs 850 A
VF @ 8 Apk, TJ = °C 125 (por la pierna) 0,58 V
TJ Gama - 55 a 175 °C

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
PARÁMETRO SÍMBOLO CONDICIONES DE PRUEBA VALORES UNIDADES

Media máxima por la pierna

corriente delantera por el dispositivo

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) ciclo de trabajo del 50% en TC = 155 °C, forma de onda rectangular 5 A
10
Sobretensión sin repetición del ciclo máximo del pico uno por la pierna IFSM seno de 5 μs o rect de 3 μs. pulso

Después de cualquier carga clasificada

condición y con clasificado

VRRM aplicado

620 A
seno de 10 ms o rect de 6 ms. pulso 115
Energía sin repetición de la avalancha por la pierna EAS TJ = 25 °C, IAS = 1 A, L = 10 Mh 5 mJ
Corriente repetidor de la avalancha por la pierna IAR

Corriente que decae linear para poner a cero adentro los μs 1

Frecuencia limitada por máximo de TJ VA = 1,5 x VR típicos

1 A

 

Grados del voltaje

Número de parte 8TQ080SPbF 8TQ100SPbF
Voltaje Reverso de VR Max. DC (v) 80 100
Voltaje reverso de VRWM Max. Working Peak (v)

 

Grados máximos absolutos

Parámetros 8TQ Unidades Condiciones
SI (sistema de pesos americano) corriente de Max. Average Forward 8 A ciclo de trabajo del 50% @ TC = 157° C, forma de onda rectangular
Sobretensión sin repetición del ciclo de IFSM Max. Peak uno 850 A seno 5μs o 3μs Rect. pulso
230 seno 10ms o 6ms Rect. pulso
Energía sin repetición de la avalancha de EAS 7,50 mJ TJ = 25 °C, IAS = 0,50 amperios, L = 60 Mh
Corriente repetidor de la avalancha de IAR 0,50 A Corriente que decae linear para poner a cero adentro 1 frecuencia del μsec limitada por máximo de TJ VA = 1,5 x VR típicos

 

Especificaciones eléctricas

Parámetros 8TQ Unidades Condiciones
Caída de voltaje delantera máxima de FM (1) 0,72 V @ 8A TJ = °C 25
0,88 V @ 16A
0,58 V @ 8A °C de TJ =1 25
0,69 V @ 16A
Corriente del IRM Max. Reverse Leakage (1) 0,55 mA TJ = °C 25 VR = valoró VR
7 mA °C de TJ =1 25
Capacitancia de empalme máxima del CT 500 PF (Gama 100Khz a 1Mhz) 25 de la señal de la prueba °C VR = 5VDC
Inductancia típica de la serie del LS 8 nH Medido lleve para llevar 5m m de cuerpo del paquete
índice de dv/dt Max. Voltage del cambio (VR clasificados) 10000 V/ μs  

 

Especificaciones Termal-mecánicas

Parámetros 8TQ Unidades Condiciones
Gama de temperaturas máxima de empalme de TJ -55 a 175 °C  
Gama de temperaturas máxima de almacenamiento de Tstg -55 a 175 °C  
Empalme de resistencia termal máximo de RthJC al caso 2,0 °C/W Operación de DC
Resistencia termal típica de RthCS, caso al disipador de calor 0,50 °C/W Superficie de montaje, liso y engrasado
peso aproximado del peso 2 (0,07) g (onza.)  
Esfuerzo de torsión del montaje de T Mínimo. 6 (5)

Kilogramo-cm

(Ibf-en)

 
Máximo. 12 (10)    

 

Dibujo:

8A 80 - diodo de rectificador de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con el paquete de D2PAK 0

 

8A 80 - diodo de rectificador de 100V Schottky 8TQ80SPBF 8TQ100SPBF con el paquete de D2PAK 1

 

 

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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