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Pequeño diodo de barrera de Schottky del diodo de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Pequeño diodo de barrera de Schottky del diodo de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf

Ampliación de imagen : Pequeño diodo de barrera de Schottky del diodo de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	BAS48

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	2500pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en el carrete, 2500pcs/reel
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

número de pieza:	BAS48	VR:	40V
Paquete:	SOD-80/LL-34	SPQ:	2500pcs
Corriente delantera:	350mA	Temperatura de empalme:	125℃
Alta luz:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Pequeño diodo de barrera de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf

Características

1. Alta confiabilidad
2. voltaje delantero muy bajo
3. pequeño tipo del montaje superficial

Usos:

Usos donde se requiere un voltaje delantero muy bajo

Grados máximos absolutos

Tj=25℃

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje reverso máximo repetidor	VRRM	40	V
Corriente continua delantera en Tamb = °C 25	SI	350	mA
Corriente delantera máxima repetidor en el tp < 1="" s="">	IFRM	1	A
Corriente delantera de la oleada en el tp < 10="" ms="">	IFSM	7,5¹⁾	A
Tamb = 25 °C IFSM 7,51) A Poder Dissipation1) en Tamb = °C 65	_Bebéde P	330¹⁾	mW
Temperatura de empalme	Tj	125	℃
Gama de temperaturas ambiente de funcionamiento	Tamb	-65~+125	℃
Gama de temperaturas de almacenamiento	Tstg	-65~+150	℃

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son tensión

grados solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica.

La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar al dispositivo

confiabilidad.

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

	Símbolo	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje de avería reverso probado con 100 pulsos del mA	V (BR) R	40			V
Voltaje delantero Prueba tp del pulso < 300="" ms=""> en SI = 0,1 mA en SI = 10 mA en SI = 250 mA	VF VF VF			0,25 0,40 0,90	V V V
Corriente de la salida Prueba tp del pulso < 300="" ms=""> en VR = 10 V en VR = 10 V, Tj = °C 60 en VR = 20 V en VR = 20 V, Tj = °C 60 en VR = 40 V en VR = 40 V, Tj = °C 60	IR IR IR IR IR IR			2 15 5 25 25 50	mA mA mA mA mA mA
Capacitancia en VR = 1 V, f = 1 megaciclo	Ctot		12		PF
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente	RthJA			0,3	K/mW

Dibujo:

Pequeño diodo de barrera de Schottky del diodo de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf 0

Pequeño diodo de barrera de Schottky del diodo de Schottky de la señal del soporte superficial BAS48 Minin Melf 1

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Envío internacional apresurado (FEDEX, DHL, UPS, TNT) costó normalmente 4-6 días

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Persona de Contacto: Bixia Wu