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diodo de rectificador de fines generales del silicio 1.5A 1N5391G a través del microprocesador de 1N5399G GPP

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diodo de rectificador de fines generales del silicio 1.5A 1N5391G a través del microprocesador de 1N5399G GPP

Ampliación de imagen : diodo de rectificador de fines generales del silicio 1.5A 1N5391G a través del microprocesador de 1N5399G GPP

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001
Número de modelo:	1N5391G-1N5399G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	3000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 3000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

Número de parte:	1N5399G	actual:	1.5A
Voltaje:	1000V	Paquete:	DO-15
Situación sin plomo:	Sin plomo/RoHS	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	fast recovery rectifier diode , smd rectifier diode

diodo de rectificador de fines generales del silicio 1.5A 1N5391G a través del microprocesador de 1N5399G GPP

CARACTERÍSTICAS

* salida reversa baja

* alta capacidad de oleada delantera

* alta confiabilidad

* el soldar de la temperatura alta garantizado: 260℃/10s; longitud de la ventaja: 0,375" (9.5m m)

* ventaja y cuerpo que acuerdan con el estándar de RoHS

DATOS MECÁNICOS

* caso: Plástico moldeado DO-15

* epóxido: Tarifa de la UL 94V-0 ignífuga

* ventaja: Haber estañado puro, sin plomo

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25℃ especificados.

Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.

Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.

MECANOGRAFÍE EL NÚMERO	1N5391G	1N5392G	1N5393G	1N5395G	1N5397G	1N5398G	1N5399G	UNIDADES
Voltaje reverso máximo periódico máximo	50	100	200	400	600	800	1000	V
Voltaje máximo del RMS	35	70	140	280	420	560	700	V
Voltaje de bloqueo máximo de DC	50	100	200	400	600	800	1000	V
Corriente adelante rectificada media máxima .375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=75℃	1,5							A
Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)	50							A
Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A	1,1							V
Corriente reversa máxima Ta=25℃ de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃	5,0 100							μA μA
Capacitancia de empalme típica (nota 1)	20							PF
Resistencia termal típica RqJA (nota 2)	50							℃/W
Gama de temperaturas de funcionamiento, TJ, TSTG	-55--150							℃

Tamaño:

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etiqueta:

Persona de Contacto: Bixia Wu

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