diodo de transferencia de alta velocidad de 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 con el caso de cristal DO-35

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Name: diodo de transferencia de alta velocidad de 0.15A 75V 4.0nS 1N4148 con el caso de cristal DO-35
Brand: XUYANG
SKU: 1N4148

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	Diodo de transferencia	número de pieza:	1N4148
VR:	75V	Paquete:	DO-35
Situación sin plomo:	Sin plomo/RoHS	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

diodo de transferencia de alta velocidad del paquete de 0.15A 75V 4.0nS DO-35 1N4148

Características

• Diodo planar epitaxial del silicio

• Diodo de transferencia rápido.

• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo

designación 1N4148W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23

caso con el tipo designación IMBD4148.

Datos mecánicos

Caso: Caso de cristal DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

Dibujo:

Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje reverso	VR	75	V
Voltaje reverso máximo	VRM	100	V
La media rectificó la corriente Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C	SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)	150	mA
Corriente delantera de la oleada en t < 1s="" and="" Tj="25°C	IFSM	500	mA
Disipación de poder en Tamb = 25°C	Ptot	500	mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente	RθJA	350	°C/W
Temperatura de empalme	Tj	175	°C
Temperatura de almacenamiento	TS	– 65 a +175	°C

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje de avería reverso	V (BR) R	IR = 100μA	100			V
Voltaje delantero	VF	SI = 10mA	—	—	1,0	V
Corriente de la salida	IR	VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C	—	—	25 5 50	nA μA μA
Capacitancia	Ctot	VF = VR = 0V	—	—	4	PF
Subida del voltaje al encender (probado con los pulsos 50mA)	Vfr	tp = 0.1μs, tiempo de subida < 30ns=""> punto de congelación = 5 a 100kHz	—	—	2,5	ns
Tiempo de recuperación reversa	trr	SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	—	4	ns
Eficacia de rectificación	nanovoltio	f = 100MHz, VRF = 2V	0,45	—	—	—