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temperatura de empalme del diodo LLDB4 -40~+110°C del disparador SMD del DIAC 35-45V

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
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temperatura de empalme del diodo LLDB4 -40~+110°C del disparador SMD del DIAC 35-45V

35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature
35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature 35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature 35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature

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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: XUYANG
Certificación: ISO9001/RohS
Número de modelo: LLDB4

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 2500pcs
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: cinta en el carrete, 2500pcs/reel
Tiempo de entrega: 10 - 15 días del trabajo
Condiciones de pago: T / T, Western Union
Capacidad de la fuente: 100000pcs por 1 semana
Descripción detallada del producto
número de pieza: LLDB4 VBO: 35-45V
IR: 10uA Paquete: SOD-80/LL-34
embalaje: Cinta en carrete Temperatura de empalme: -40~+110°C
Alta luz:

bidirectional trigger diode

,

db3 diac trigger diode

Diodo bidireccional LLDB4 del disparador del DIAC de SMD con el mini paquete de cristal de Melf

 

Características

 

1. VBO: 40V (TIPO)

2. Gama del voltaje de continuación: 35 a 45V

 

 

Usos

 

Funcionando como un diodo del disparador con una referencia de tensión fija, el LLDB4 se puede utilizar en la conjunción

con los triac para los circuitos de control simplificados de la puerta o como elemento el comenzar en lastres de la lámpara fluorescente.

 

 

Grados máximos absolutos

 

Corriente máxima repetidor del en-estado (herzios de tp=20μs F=120) ITRM 2 A
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme Tj -40 ~ +125
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg -40 ~ +125

 

Características eléctricas

 

Parámetro Símbolo Condiciones de prueba Valor Unidad
Voltage* de la continuación VBO   MÍNIMO. 35 V
TIPO. 40
MÁXIMO. 45
Simetría del voltaje de continuación |VBO1-VBO2| C=22nF ** MÁXIMO. ±3 V
Voltage* dinámico de la continuación △V VBO y VF en 10mA MÍNIMO. 5 V
Voltage* de la salida Vo vea el diagrama 2 (R=20Ω) MÍNIMO. 5 V
Current* de la continuación IBO C=22nF ** MÁXIMO. 50 μA
Time* de la subida tr vea el diagrama 3 MÁXIMO. 2 μs
Current* de la salida IR VR=0.5VBO máximo MÁXIMO. 10 μA

 

Tamaño:

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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