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Diodo bidireccional del disparador del DIAC DB3 del silicio con alta capacidad de oleada delantera

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Diodo bidireccional del disparador del DIAC DB3 del silicio con alta capacidad de oleada delantera

Ampliación de imagen : Diodo bidireccional del disparador del DIAC DB3 del silicio con alta capacidad de oleada delantera

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001
Número de modelo:	DB3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en el carrete, 5000pcs/reel
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

número de pieza:	DB3	VBO:	28-36V
Paquete:	SMA/DO-214AC	Temperatura de empalme:	-40~+110°C
embalaje:	Cinta en carrete	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	db3 diac diode , db3 diac trigger diode

Diodo bidireccional DB3 SMA del disparador del DIAC del silicio con el paquete superficial del soporte

Características

1. Salida reversa baja

2. Alta capacidad de oleada delantera

3. El soldar de alta temperatura garantizado: 250℃/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m)

Datos mecánicos

·Terminales: Conductores axiales plateados
·Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
·Posición de montaje: Ningunos

Grados máximos absolutos

Símbolos	Parámetro		Valor	Unidad
Símbolos	Parámetro		DB3	Unidad
PC	Disipación de poder en impreso Circuito [L=10mm]	TA=50℃	150	mW
ITRM	En-estado máximo repetidor Actual	tp=10us F=100Hz	2,0	A
TSTG/TJ	Almacenamiento y 0 temperaturas de empalme perating		-40 a +125/-40 a 110	℃

Características eléctricas

Parámetro	Símbolo	Condiciones de prueba		Valor	Unidad
Voltaje de continuación	VBO		MÍNIMO.	28	V
			TIPO.	32
			MÁXIMO.	36
Simetría del voltaje de continuación	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MÁXIMO.	±3	V
Voltage* dinámico de la continuación	△V	VBO y VF en 10mA	MÍNIMO.	5	V
Voltage* de la salida	V_O	vea el diagrama 2 (R=20Ω)	MÍNIMO.	5	V
Current* de la continuación	IBO	C=22nF **	MÁXIMO.	100	μA
Time* de la subida	tr		MÁXIMO.	1,5	μs
Current* de la salida	IR	VR=0.5VBO máximo	MÁXIMO.	10	μA

Notas: características 1.Electrical aplicables en direcciones delanteras y contrarias.
2.Connected paralelamente a los dispositivos.

Tamaño:

Diodo bidireccional del disparador del DIAC DB3 del silicio con alta capacidad de oleada delantera 0

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etiqueta:

Persona de Contacto: Bixia Wu

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