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el vidrio ultrarrápido del diodo de rectificador de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
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el vidrio ultrarrápido del diodo de rectificador de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41

1Amp Ultra Fast Recovery Rectifier Diode Glass Passivated 50-1000V RGP10A-M DO-41
1Amp Ultra Fast Recovery Rectifier Diode Glass Passivated 50-1000V RGP10A-M DO-41 1Amp Ultra Fast Recovery Rectifier Diode Glass Passivated 50-1000V RGP10A-M DO-41 1Amp Ultra Fast Recovery Rectifier Diode Glass Passivated 50-1000V RGP10A-M DO-41

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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: XUYANG
Certificación: ISO9001
Número de modelo: RGP10A-M

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5000pcs
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega: 5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago: T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente: 3500000PCS/Month
Descripción detallada del producto
número de pieza: RGP10A-M Actual: 1A
tensión: 50-1000V Paquete: DO-41
SPQ: 5000pcs ROHS:
Alta luz:

ultrafast bridge rectifier

,

fast recovery bridge rectifier

el vidrio rápido estupendo del rectificador de silicio de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41

 

CARACTERÍSTICAS

 

Empalmes apaciguados vidrio del microprocesador del ●
Ideal del ● para la colocación automatizada
Tiempo de recuperación reversa ultrarrápido del ●
para la eficacia alta
Paquete del perfil bajo del ●
Alta capacidad de oleada delantera del ●
El soldar de la temperatura alta del ●:
segundos 260℃/10 en los terminales
Componente del ● del acuerdo a
RoHS 2002/95/1 y WEEE 2002/96/EC

 

Fecha mecánica

 

Símbolo Parámetro Valor Unidades
10A 10B 10D 10G 10J 10K 10M
V RRM Voltaje reverso repetidor máximo 50 100 200 400 600 800 1000 V
I F (SISTEMA DE PESOS AMERICANO)

La media rectificó la corriente delantera,

.375" longitud @ T de la ventaja L = 55°C

1,0 A
I FSM

Sobretensión delantera máxima sin repetición

8,3 ms sola Mitad-Seno-onda

30 A
Stg de T Gama de temperaturas de almacenamiento -65 a +175 °C
T J Temperatura de empalme de funcionamiento -65 a +175 °C

* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada

 

Características termales

 

Symboy Paramete Valor Unidades
P D Disipación de poder 3,0 W
R del θJA Resistencia termal, empalme a ambiente 50 °C/W

 

Características eléctricas T A = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

 

Símbolo Parámetro Valor Unidades
10A 10B 10D 10G 10J 10K 10M
VF Voltaje delantero @ 1,0 A 1,3 V
t rr

Tiempo de recuperación reversa

I F = 0,5 A, I R = 1,0 A, I rr = 0,25 A

150 250 500 A
I R

La corriente reversa @ valoró V R T A = 25°C

T A = 150°C

5,0

200

UA

UA

C T

Capacitancia total

V R = 4,0 V, f = 1,0 megaciclos

15 PF

 

 

Tamaño

 

el vidrio ultrarrápido del diodo de rectificador de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41 0

el vidrio ultrarrápido del diodo de rectificador de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41 1

 

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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