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4ns ayunan 1n4150 el diodo, diodo de señal de transferencia con alta confiabilidad

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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4ns ayunan 1n4150 el diodo, diodo de señal de transferencia con alta confiabilidad

Ampliación de imagen : 4ns ayunan 1n4150 el diodo, diodo de señal de transferencia con alta confiabilidad

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	1N4150

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de transferencia de alta velocidad	número de pieza:	1N4150
VR:	40V	Paquete:	DO-35
Tiempo de recuperación::	4ns	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

diodo de transferencia de alta velocidad 1N4150 1N4150 50V 200MA con el paquete DO-35

Características

1. Alta confiabilidad
2. alta capacidad actual delantera

Usos

Interruptor de alta velocidad y uso de fines generales en ordenador y usos industriales

Construcción

Planar epitaxial del silicio

Datos mecánicos

Caso: DO-35, MiniMELF

Terminales: Ventajas plateadas Solderable por MIL-STD-202, método 208

Polaridad: Banda del cátodo

Peso: DO-35 0,13 gramos de MiniMELF 0,05 gramos

Marcado: Banda del cátodo solamente

Grados máximos absolutos

T_J = 25°C

Parámetro	Condiciones de prueba	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje reverso máximo repetidor		VRRM	50	V
Voltaje reverso		VR	40	V
Sobretensión delantera máxima	tp≦1 s	IFSM	4	A
Corriente delantera		SI	600	mA
Corriente delantera media	V_R =0	I_FAV	300	mA
Disipación de poder		Picovoltio	500	mW
Temperatura de empalme		Tj	175	℃
Gama de temperaturas de almacenamiento		Tstg	-65~+125	℃

Resistencia termal máxima

T_J = 25°C

Parámetro	Condiciones de prueba	Símbolo	Valor	Unidad
Empalme ambiente	en el tablero de PC 50mm×50mm×1.6m m	RthJA	500	K/W

Características eléctricas

T_J = 25°C

Parámetro	Condición de prueba	Símbolo	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje delantero	SI = 1mA	VF	0,54		0,62	V
	SI = 10mA	VF	0,66		0,74	V
	SI = 50mA	VF	0,76		0,86	V
	SI = 100mA	VF	0,82		0,92	V
	SI = 200mA	VF	0,87		1,0	V
Corriente reversa	VR = 20V	I_R			100	nA
Corriente reversa	VR = 50V, TJ = 150°C	I_R			100	μA
Capacitancia del diodo	VR = 0, f=1MHz, V_HF-50mV	C_D			2,5	PF
Tiempo de recuperación reversa	SI = I_R = 10… 100mA, IR = 1mA, RL = 100Ω	trr			4	ns