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Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones
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Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case
General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case

Ampliación de imagen :  Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: XUYANG
Certificación: ISO9001/RoHS
Número de modelo: 1N4448

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 5000pcs
Precio: negotiation
Detalles de empaquetado: cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega: 5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago: T / T, Western Union
Capacidad de la fuente: 100000pcs por 1 semana
Descripción detallada del producto
nombre: Diodo de transferencia número de pieza: 1N4448
VR: 75V Caso: DO-35
Temperatura de empalme: 175°C Temperatura de almacenamiento: – 65 a +175°C
Alta luz:

ultra fast switching diode

,

small signal switching diode

diodo de alta velocidad del diodo de transferencia 1N4448 pequeño solo con el caso DO-35

 

 

Características

 

• Diodo planar epitaxial del silicio

• Diodo de transferencia rápido.

• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo

designación 1N4448W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23

caso con el tipo designación IMBD4148.

.

Datos mecánicos

Caso: Caso de cristal DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

 

Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje reverso VR 75 V
Voltaje reverso máximo VRM 100 V

La media rectificó la corriente

Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 150 mA
Corriente delantera de la oleada en t < 1s="" and="" Tj="25°C IFSM 500 mA
Disipación de poder en Tamb = 25°C Ptot 500 mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente RθJA 350 °C/W
Temperatura de empalme Tj 175 °C
Temperatura de almacenamiento TS – 65 a +175 °C

 

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Condición de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje delantero VF

SI = 5mA

SI = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Corriente de la salida IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

nA

μA

μA

Voltaje de avería reverso V (BR) R IR = 100ìA (pulsados) 100 V
Capacitancia Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Tiempo de recuperación reversa trr

SI = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 ns
Eficacia de rectificación nanovoltio f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Dibujo:

Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35 0

part1 diode.png

 

nuestro servicio:

La condición común se está poniendo al día siempre, recepción para entrarnos en contacto con para más detalles.

Prometemos citar solamente productos con la condición real del 100%, nunca vendemos restaurado o copiamos como original.

Nuestro objeto es hacer la cooperación a largo plazo.

Elíjanos, usted nos encontrará profesionales, siempre confiables y fáciles hacer negocio.

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Contacto
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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