Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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nombre: | Diodo de transferencia | número de pieza: | 1N4448 |
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VR: | 75V | Caso: | DO-35 |
Temperatura de empalme: | 175°C | Temperatura de almacenamiento: | – 65 a +175°C |
Alta luz: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
diodo de alta velocidad del diodo de transferencia 1N4448 pequeño solo con el caso DO-35
Características
• Diodo planar epitaxial del silicio
• Diodo de transferencia rápido.
• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo
designación 1N4448W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23
caso con el tipo designación IMBD4148.
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Datos mecánicos
Caso: Caso de cristal DO-35
Peso: aproximadamente 0.13g
Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
Voltaje reverso | VR | 75 | V |
Voltaje reverso máximo | VRM | 100 | V |
La media rectificó la corriente Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 150 | mA |
Corriente delantera de la oleada en t < 1s="" and="" Tj="25°C | IFSM | 500 | mA |
Disipación de poder en Tamb = 25°C | Ptot | 500 | mW |
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RθJA | 350 | °C/W |
Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Voltaje delantero | VF |
SI = 5mA SI = 100mA |
0,62 — |
— — |
0,70 1,0 |
V |
Corriente de la salida | IR |
VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C |
— — — |
— — — |
25 5 50 |
nA μA μA |
Voltaje de avería reverso | V (BR) R | IR = 100ìA (pulsados) | 100 | — | — | V |
Capacitancia | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
Tiempo de recuperación reversa | trr |
SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ù |
— | — | 4 | ns |
Eficacia de rectificación | nanovoltio | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
Dibujo:
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