Inicio Productos Diodo de barrera Schottky

Diodo de Schottky del soporte de la superficie de 10BQ100 1A para los accionamientos de disco/las fuentes de alimentación de la transferencia

Comentarios de cliente

Diodo del termistor (17)

Diodo del disparador del DIAC (13)

Diodo de rectificador de fines generales (25)

Diodo Zener (31)

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV (10)

diodo de alto voltaje (11)

Diodo de SIDAC (10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación (17)

diodo de rectificador ultrarrápido de la recuperación (10)

diodo de rectificador de la eficacia alta (10)

diodo de transferencia de alta velocidad (23)

Diodo de barrera Schottky (39)

pequeño diodo de Schottky de la señal (16)

Puente rectificador del diodo (22)

Termistor de NTC (16)

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

Estoy en línea para chatear ahora

Diodo de Schottky del soporte de la superficie de 10BQ100 1A para los accionamientos de disco/las fuentes de alimentación de la transferencia

Ampliación de imagen : Diodo de Schottky del soporte de la superficie de 10BQ100 1A para los accionamientos de disco/las fuentes de alimentación de la transferencia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001
Número de modelo:	10BQ100

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	3000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	3000pcs/box
Condiciones de pago:	T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:	300000pcs/month

Contacto

Descripción detallada del producto

Nombre del producto:	10BQ100	Actual:	1.0A
tensión:	100V	SPQ:	30000pcs/box
Paquete:	SMB
Alta luz:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

paquete del diodo de rectificador de la barrera de Schottky del soporte de la superficie 1.0Ampere 10BQ100 SMB

CARACTERÍSTICAS:

El rectificador de Schottky del superficie-soporte 10BQ100 ha sido
diseñado para los usos que requieren descenso delantero bajo y muy
pequeñas impresiones del pie en los tableros de PC. Los usos típicos están en disco
impulsiones, fuentes de alimentación que cambian, convertidores, andando sin embragar
diodos, batería que carga, y protección reversa de la batería.
Pequeña impresión del pie, superficie aumentable
Caída de voltaje delantera baja
Operación de alta frecuencia
Anillo de guardia para la aspereza y el largo plazo aumentados
confiabilidad

Grados del voltaje

Número de parte	10BQ100
V R del voltaje Reverso de Max. DC (v)	100
V voltaje reverso de RWM Max. Working Peak (v)	100

Grados máximos absolutos

Parámetros	10BQ	Unidades	Condiciones
I corriente de F (sistema de pesos americano) Max. Average Forward	1,0	A	ciclo de trabajo @ T del 50% L = 152 °C, forma de onda rectangular
I ciclo del FSM Max. Peak uno sin repetición Sobretensión	780	A	seno 5µs o 3µs Rect. pulso	Después de clasificado condición de carga y con V clasificado RRM aplicado
	38		seno 10ms o 6ms Rect. pulso
E COMO energía sin repetición de la avalancha	1,0	mJ	T J = 25 °C, I COMO = 0.5A, L = 8mH
I corriente repetidor de la avalancha de AR	0,5	A	Corriente que decae linear para poner a cero adentro 1 µsec Frecuencia limitada por máximo de T J Va = 1,5 x Vr típico

Especificaciones eléctricas

Parámetros	10BQ	Unidades	Condiciones
V caída de voltaje delantera máxima de FM (1)	0,78	V	@ 1A	T J = °C 25
	0,89	V	@ 2A	T J = °C 25
	0,62	V	@ 1A	T J = °C 125
	0,72	V	@ 2A	T J = °C 125
I corriente de Max. Reverse Leakage del RM (1)	0,5	mA	T J = °C 25	V R = valoró V R
I corriente de Max. Reverse Leakage del RM (1)	1	mA	T J = °C 125	V R = valoró V R
Capacitancia de empalme típica de C T	42	PF	V R = 5V DC, (gama 100kHz de la señal de la prueba a 1MHz) 25°C
L inductancia típica de la serie de S	2,0	nH	Medido lleve para llevar 5m m de cuerpo del paquete
índice de dv/dt Max. Volatge de la carga (V clasificado R)	10000	V/ µs

(1) anchura de pulso < 300="">

Especificaciones Termal-mecánicas

Parámetros	10BQ	Unidades	Condiciones
*Gama de temperaturas máxima de empalme de T J ()**	- 55 a 175	°C
Gama de temperaturas máxima de almacenamiento del stg de T	- 55 a 175	°C
Empalme máximo de la resistencia termal del thJL de R a la ventaja	36	°C/W	Operación de DC
Empalme máximo de la resistencia termal del thJA de R a ambiente	80	°C/W
peso aproximado del peso	0,10 (0,003)	g (onza.)
Estilo del caso	SMB		DO-214AA similar
Marcado del dispositivo	IR1J

Dibujo:

Diodo de Schottky del soporte de la superficie de 10BQ100 1A para los accionamientos de disco/las fuentes de alimentación de la transferencia 0

¿Qué puede nosotros usted de XUYANG?

El mejor servicio: con 10 años la experiencia en personal de ventas de exportación le mantendrá.

De alta calidad: ayúdele a evitar comprar riesgo.

Ponga en cortocircuito la entrega: ayúdele a ahorrar tiempo.

Precio competitivo: el precio no es el funcionamiento de coste más bajo sino más alto

OEM/ODM: nos sentimos confiados nosotros podemos encontrarle los requisitos de OEM/ODm.

etiqueta:

Persona de Contacto: Bixia Wu

Otros productos

diodo del caso 20A Schottky de 45V SMD 20SQ045 TO-263

Nombre: rectificador de la barrera de Schottky
Número de parte: 20SQ045
Io: 20A
Voltaje: 45v

diodo de barrera de 3.0A 40V SMD Schottky DSS34 con el paquete de SOD123FL

Nombre: Diodo de Schottky
Número de parte: DSS34
actual: 3A
Voltaje: 40V

diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie 2A DSS22 a través del paquete de DSS210 WithSOD123FL

Nombre: Diodo de Schottky
Número de parte: DSS22 - DSS210
actual: 2A
Voltaje: 20-100V

Diodo de barrera de Schottky del paquete de SOD123FL DSS14 DSS16 DSS110 con 1 amperio

Nombre: Diodo de Schottky
Número de parte: DSS110
actual: 1A
Voltaje: 100V

Diodo de barrera de Schottky del soporte de la superficie de 1,0 amperios DL5817 DL5818 DL5819

Nombre: Diodo de Schottky
Número de parte: DL5817 DL5818 DL5819
actual: 1A
Voltaje: 20-40V