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Diodo de transferencia de alta velocidad del caso de cristal 1N914 con alta conductancia

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Diodo de transferencia de alta velocidad del caso de cristal 1N914 con alta conductancia

Ampliación de imagen : Diodo de transferencia de alta velocidad del caso de cristal 1N914 con alta conductancia

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	1N914

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de transferencia rápido	número de pieza:	1N914
VR:	75V	Voltaje reverso máximo::	100V
Caída de voltaje delantera:	1V	Temperatura de almacenamiento:	– 65 a +175°C
Alta luz:	small signal fast switching diodes , ultra fast switching diode

El diodo de transferencia de alta velocidad 1N914 con el caso DO-35 ayuna diodo de transferencia

Características

Velocidad de transferencia rápida

Alta confiabilidad

Alta conductancia

Para el uso de fines generales de la transferencia

Datos mecánicos

Caso: Caso de cristal DO-35

Therminals: solderable por MIL-STD-202, método 208 garantizado

Marcado: Mecanografíe el número

Peso: aproximadamente 0.13g

Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Grados máximos (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

characterisic	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje reverso máximo sin repetición	VRM	100	V
Voltaje reverso repetidor máximo Voltaje reverso máximo de trabajo Voltaje de bloqueo de DC	VRRM VRWM VR	75	V
Voltaje reverso del RMS	VR (RMS)	53	V
Corriente continua de Forwar (Nota 1)	IFM	150	mA
La media rectificó la corriente de salida (Nota 1)	Io	75	mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición @ t = 1s @ t = 1us	IFSM	1,0 1,0	A
Disipación de poder (nota 1) Reduzca la capacidad normal sobre 25°C	Paladio	500	mW mW/°C
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente (nota 1)	RthJA	300	K/W
Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento	Tj, TSTG	– 65 a +175	°C

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Máximo	Unidad
Voltaje delantero máximo	VFM	SI = 10mA	—	1,0	V
Corriente reversa máxima máxima	IRM	VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C VR = 20V	—	5,0 50 25	μA μA nA
Capacitancia	Cj	VR = 0V, f =1.0 megaciclo	—	4	PF
Tiempo de recuperación reversa	trr	SI = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	4	ns

Nota: 1. Válido a condición de que lleve se guarda en la temperatura ambiente en una distancia de 8.0m m.

part1 diode.png

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