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Diodo de transferencia de alta velocidad de VR 250V 1SS83 con planar epitaxial del silicio

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Diodo de transferencia de alta velocidad de VR 250V 1SS83 con planar epitaxial del silicio

Ampliación de imagen : Diodo de transferencia de alta velocidad de VR 250V 1SS83 con planar epitaxial del silicio

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	1SS83

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

nombre:	diodo de transferencia de alto voltaje	número de pieza:	1SS83
VR:	250	Caso:	DO-35
Temperatura de empalme:	175°C	Temperatura de almacenamiento:	– 65 a +175°C
Alta luz:	small signal fast switching diodes , small signal switching diode

Planar epitaxial del silicio para el diodo de transferencia de alto voltaje 1SS83

Características

• Alto voltaje reverso (V_R = 250V)

• Alta confiabilidad con el sello de cristal

Datos mecánicos

Caso: Caso de cristal DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

Grados máximos absolutos

Parámetro	Símbolo	Límite	Unidad
Voltaje reverso	VR	250	V
Revés máximo Voltage*1	VRM	300	V
La media rectificó la corriente	Io	200	mA
Corriente delantera máxima	IFM	625	mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición	IFSM *2	1	A
Disipación de poder	Paladio	400	mW
Temperatura de empalme	Tj	175	°C
Temperatura de almacenamiento	TS	– 65 a +175	°C

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro	Símbolo	Condición de prueba	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje delantero	VF	SI = 100mA	—	—	1,0	V
Corriente reversa	IR1	VR = 200V	—	—	200	nA
Corriente reversa	IR2	VR = 300V	—	—	100	μA
Capacitancia	C	VR = 0V, f =1.0 megaciclo	—	1,5	—	PF
Tiempo de recuperación reversa	trr	SI = IR = 30mA, IRR = 3 mA, RL = 100Ω	—	—	100	ns

Dibujo:

part1 diode.png

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