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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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nombre: | diodo de transferencia de alta velocidad | número de pieza: | 1SS133 |
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VR: | 80v | Paquete: | DO-34 |
Tiempo de recuperación reversa: | 4ns | Envío cerca: | DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar |
Alta luz: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
Corriente reversa que cambia de alta velocidad DO-34 de 1SS133 1SS244 DiodeLow
Características
1. sobre sellado vidrio.
2. alta confiabilidad.
3. velocidad.
Usos
Transferencia de alta velocidad
Construcción
Planar epitaxial del silicio
Grados máximos absolutos
Tj =25℃
Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
Voltaje reverso de DC | VR | 80 | V |
Revés máximo Voltage*1 | VRM | 90 | V |
Corriente de rectificación mala | Io | 130 | mA |
Corriente delantera máxima | IFM | 400 | mA |
Sobretensión (1s) | Isurge | 600 | mA |
Disipación de poder | P | 300 | mW |
Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son tensión
grados solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica.
La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar al dispositivo
confiabilidad.
Características eléctricas
Tj =25℃
Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
Voltaje delantero | VF | SI = 100mA | — | 0,92 | 1,0 | V |
Corriente reversa | IR | VR = 80V | — | 0,02 | 0,5 | μA |
Capacitancia entre los terminales | CT | VR = 0.5V, f =1.0 megaciclo | — | 1,55 | 2 | PF |
Tiempo de recuperación reversa | trr | VR = 0.5V, SI = 10mA, RL = 50Ω | — | 1,5 | 4 | ns |
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Persona de Contacto: Bixia Wu