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Diodo del amperio 100v Schottky del caso 3 de 30BQ100 SMC

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Diodo del amperio 100v Schottky del caso 3 de 30BQ100 SMC

Ampliación de imagen : Diodo del amperio 100v Schottky del caso 3 de 30BQ100 SMC

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001/RoHS
Número de modelo:	30BQ100

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	3000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en el carrete, 3000pcs/reel
Tiempo de entrega:	15 - 20 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

Número de parte:	30BQ100	SI:	3A
Voltaje:	100V	Paquete:	SMC/DO-214AB
Temperatura de empalme:	175°C	VF en SI:	0,62 V
IRM:	5 mA en el °C 125	EAS:	3,0 mJ
Alta luz:	schottky barrier rectifier , 1n5820 schottky diode

diodo de rectificador de Schottky del soporte de la superficie de 3Amp 100V 30BQ100 con el caso de SMC

CARACTERÍSTICAS
• Muy bajo caída de voltaje delantera
• Anillo de guardia para la confiabilidad aumentada la aspereza y del largo plazo
• Halógeno-libre según la definición del IEC 61249-2-21
• Pequeña impresión del pie, superficie aumentable
• Operación de alta frecuencia
• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020, pico máximo del LF del °C 260
• Obediente a RoHS 2015/863/EC directivo

DESCRIPCIÓN
El rectificador de Schottky del soporte de la superficie 30BQ100 se ha diseñado para los usos que requerían punto bajo
el descenso delantero y el pequeño pie imprime en los tableros de PC. Los usos típicos están en los accionamientos de disco, cambiando
fuentes de alimentación, convertidores, diodos despreocupados, batería que carga, y protección reversa de la batería.

GRADOS Y CARACTERÍSTICAS IMPORTANTES
SÍMBOLO	CARACTERÍSTICAS	VALORES	UNIDADES
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)	Forma de onda rectangular	3,0	A
VRRM		100	V
IFSM	tp de = seno 5 μs	800	A
VF	3,0 Apk, TJ = °C 125	0,62	V
TJ	Gama	- 55 a 175	°C

GRADOS DEL VOLTAJE
PARÁMETRO	SÍMBOLO	30BQ100-M3	UNIDADES
Voltaje reverso máximo de DC	VR	100	V
Voltaje reverso máximo de trabajo máximo	VRWM	100	V

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
PARÁMETRO	SÍMBOLO	Condición de prueba		VALORES	UNIDADES
Corriente delantera media máxima	SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)	ciclo de trabajo del 50% en TL = 148 °C, forma de onda rectangular		3,0	A
		ciclo de trabajo del 50% en TL = 138 °C, forma de onda rectangular		4,0
Ciclo máximo del pico uno sobretensión sin repetición	IFSM	seno de 5 μs o rect de 3 μs. pulso	Después de clasificado condición de carga y con VRRM clasificado aplicado	800
		seno de 10 ms o rect de 6 ms. pulso		70
Energía sin repetición de la avalancha	EAS	TJ = 25 °C, IAS = 1,0 A, L = 6 Mh		3,0	mJ
Corriente repetidor de la avalancha	IAR	Corriente que decae linear para poner a cero adentro los μs 1 Frecuencia limitada por máximo de TJ VA = 1,5 x VR típicos		0,5	A

ESPECIFICACIONES ELÉCTRICAS
PARÁMETRO	SÍMBOLO	Condición de prueba		VALORES	UNIDADES
Caída de voltaje delantera máxima	VFM (1)	3A	TJ = °C 25	0,79	V
		6A	TJ = °C 25	0,90
		3A	TJ = °C 125	0,62
		6A	TJ = °C 125	0,70
Corriente reversa máxima de la salida	IRM	TJ = °C 25	VR = valoró VR	0,5
		TJ = °C 125	VR = valoró VR	5,0	mA
Capacitancia de empalme máxima	CT	VR = 5 VDC (gama 100 kilociclos a 1 megaciclo), de la señal de la prueba °C 25		115	PF
Serie típica de la inductancia	LS	Medido lleve para llevar 5 milímetros de cuerpo del paquete		3,0	nH
Índice máximo del voltaje de cambio	dV/dt	VR clasificado		10 000	V/μs

Nota
(1) anchura de pulso = 300 μs, ciclo de trabajo el = 2%

TERMAL - ESPECIFICACIONES MECÁNICAS
PARÁMETRO	SÍMBOLO	Condición de prueba	VALORES	UNIDADES
Empalme y almacenamiento máximos gama de temperaturas	TJ (1), TStg		- 55 a 175	°C
Resistencia termal máxima, empalme a la ventaja	RthJL (2)	Operación de DC	12	°C/W
Resistencia termal máxima, empalme a ambiente	RthJA	Operación de DC	46	°C/W

Dibujo:
Diodo del amperio 100v Schottky del caso 3 de 30BQ100 SMC 0

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