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Pequeño diodo bajo 1N60P de Schottky de la señal de VF con el paquete del vidrio DO-35

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Diodo del termistor (17)

Diodo del disparador del DIAC (13)

Diodo de rectificador de fines generales (25)

Diodo Zener (31)

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV (10)

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Diodo de SIDAC (10)

diodo de rectificador rápido de la recuperación (17)

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Diodo de barrera Schottky (39)

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Puente rectificador del diodo (22)

Termistor de NTC (16)

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. certificaciones

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Pequeño diodo bajo 1N60P de Schottky de la señal de VF con el paquete del vidrio DO-35

Ampliación de imagen : Pequeño diodo bajo 1N60P de Schottky de la señal de VF con el paquete del vidrio DO-35

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	XUYANG
Certificación:	ISO9001
Número de modelo:	1N60P

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	5000pcs
Precio:	negotiation
Detalles de empaquetado:	cinta en la caja, 5000pcs/box
Tiempo de entrega:	5 - 8 días del trabajo
Condiciones de pago:	T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:	100000pcs por 1 semana

Contacto

Descripción detallada del producto

número de pieza:	1N60P	VR:	45V
Paquete:	DO-35	SPQ:	5000pcs
Situación sin plomo:	Sin plomo/RoHS	Envío cerca:	DHL \ UPS \ Fedex \ el ccsme \ mar
Alta luz:	schottky diode smd , 1n914 blocking diode

DO-35 diodo bajo 1N60 1N60P de Schottky de la señal del paquete de cristal VF pequeño para la detección

Características

1. Alta confiabilidad

2. Voltaje delantero actual y bajo reverso bajo

Usos

Rectificación de poca intensidad y transferencia de alta velocidad

Construcción

Planar epitaxial del silicio

Grados máximos absolutos

Tj=25℃

Parámetro	Condiciones de prueba	Tipo	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje reverso máximo repetidor		1N60	VRRM	40	V
Voltaje reverso máximo repetidor		1N60P	VRRM	45	V
Sobretensión delantera máxima	tp≦1 s	1N60	IFSM	150	mA
Sobretensión delantera máxima	tp≦1 s	1N60P	IFSM	500	mA
Corriente continua delantera	Ta=25℃	1N60	SI	30	mA
Corriente continua delantera	Ta=25℃	1N60P	SI	50	mA
Gama de temperaturas de almacenamiento			Tstg	-65~+125	℃

Resistencia termal máxima

Parámetro	Condiciones de prueba	Símbolo	Valor	Unidad
Empalme ambiente	en el tablero de PC 50mm×50mm×1.6m m	RthJA	250	K/W

Características eléctricas

Parámetro	Condiciones de prueba	Tipo	Símbolo	Minuto	Tipo	Máximo	Unidad
Voltaje delantero	IF=1mA	1N60	VF		0,32	0,5	V
	IF=1mA	1N60P	VF		0,24	0,5	V
	IF=30mA	1N60	VF		0,65	1,0	V
	IF=200mA	1N60P	VF		0,65	1,0	V
Corriente reversa	VR=15V	1N60	IR		1	5	μA
Corriente reversa	VR=15V	1N60P	IR		5	10	μA
Capacitancia de empalme	VR=1V, f=1MHz	1N60	CJ			2,0	PF
Capacitancia de empalme	VR=10V, f=1MHz	1N60P	CJ			6,0	PF
Tiempo de recuperación reversa	¿IF=IR=1mA Irr=1mA RC=100?		trr			1,0	ns

Pequeño diodo bajo 1N60P de Schottky de la señal de VF con el paquete del vidrio DO-35 0

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etiqueta:

diodo de transferencia 1n914,

1n914 que bloquea el diodo,

smd del diodo de Schottky

Contacto

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Persona de Contacto: Bixia Wu

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