Diodo de rectificador superficial de la eficacia alta del soporte HS1A con HS1M con el paquete de SMA
El producto se utiliza para cambiar la fuente de alimentación, aparatos electrodomésticos, tales como leche de soja
aparatos eléctricos de la máquina.
Como fabricante especializado de diodos, somos totalmente equipados con la producción automática
líneas incluyendo la asamblea, la soldadura, la prueba y la maquinaria del embalaje. Nuestros materiales críticos son
importado de los E.E.U.U. y del Japón para asegurar de calidad superior, así que nuestros productos venda bien adentro por todo el mundo
mercados.
Los productos se dividen en bulto y trenza.
CARACTERÍSTICAS
Microprocesador apaciguado vidrio del empalme.
Para la superficie uso montado
Caída de voltaje delantera baja
Paquete del perfil bajo
Alivio incorporado de la mancha, ideal para la colocación automática
Transferencia rápida para la eficacia alta
El soldar de la temperatura alta: segundos 260℃/10 en los terminales
El material plástico usado lleva la clasificación 94V-O del laboratorio de los suscriptores
DATOS MECÁNICOS
Casos: Plástico moldeado
Terminales: Soldadura plateada
Polaridad: Indicado por la banda del cátodo
El embalar: cinta de 12m m por E1A STD RS-481
Peso: 0,093 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Valorando 25 otherwies de los uniess de la temperatura ambiente de C especificados.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%.
| MECANOGRAFÍE EL NÚMERO |
HS1A |
HS1B |
HS1D |
HS1F |
HS1G |
HS1J |
HS1K |
HS1M |
Unidad |
| Voltaje reverso máximo periódico máximo |
50 |
100 |
200 |
300 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
V |
| Voltaje máximo del RMS |
35 |
70 |
140 |
210 |
280 |
420 |
580 |
700 |
V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC |
50 |
100 |
200 |
300 |
400 |
600 |
800 |
1000 |
V |
|
Corriente adelante rectificada media máxima
.375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=55℃
|
1,0 |
A |
| Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC) |
30 |
A |
| Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A |
1,0 |
1,3 |
1,85 |
V |
|
Corriente reversa máxima Ta=25℃ de DC
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100℃
|
5,0
100
|
μA
μA
|
| Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) |
50 |
75 |
nS |
| Capacitancia de empalme típica (nota 2) |
20 |
15 |
PF |
| Gama de temperaturas TJde funcionamiento |
-55 +150 |
℃ |
| Gama de temperaturas TSTGde almacenamiento |
-55 +150 |
℃ |
NOTAS:
1. condición de prueba del tiempo de recuperación reversa: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. medido en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
3. Montado en el PWB con 0,4"” (10 x 10 milímetros) áreas del cojín del cobre x0.4.
Dibujo:
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