Pequeño diodo de Schottky de la señal de SD103A SD103B SD103C con el paquete DO-35
Características
1. La serie SD103 es un dispositivo de la barrera de Schottky del metal-en-silicio que es protegido por un PN
empalme guardring.
2. La caída de voltaje delantera baja y la transferencia rápida le hacen el ideal para la protección de los dispositivos del MOS,
los diodos dirigiendo, el blasing y del acoplamiento para la transferencia rápida y la lógica baja nivelan usos.
3. Otros applicatuibs son la supresión del tecleo, puentes de onda completa effcient en subconjuntos del teléfono, y
bloqueo de los diodos en sistemas de batería recargables de la baja tensión.
4. Para los usos de fines generales.
5. alta confiabilidad
Usos
1. HF-detector
2. Circuito de protección
3. Pequeño cargador de batería
4. AC/DC, convertidores de DC/DC
Construcción
Planar epitaxial del silicio
Grados máximos absolutos
Tj=25℃
| Parámetro |
Condiciones de prueba |
Tipo |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
| Voltaje reverso máximo repetidor |
|
SD103A |
VRRM |
40 |
V |
| SD103B |
VRRM |
30 |
V |
| SD103C |
VRRM |
20 |
V |
| Sobretensión delantera máxima |
Tp≤1s |
|
IFRM |
1 |
A |
| Corriente delantera |
|
|
IFM |
350 |
mA |
| Disipación de poder |
Tamb=25℃ |
|
PV |
400 |
mW |
| Gama de temperaturas de almacenamiento |
|
|
Tstg |
-65~+175 |
℃ |
Características eléctricas
Tj=25℃
| Parámetro |
Condiciones de prueba |
Tipo |
Símbolo |
Minuto |
Tipo |
Máximo |
Unidad |
| Voltaje delantero |
IF=20mA |
|
VF |
|
|
0,37 |
V |
| IF=200mA |
|
VF |
|
|
0,6 |
V |
| Corriente reversa |
VR=30V |
SD103A |
IR |
|
1 |
5 |
μA |
| VR=20V |
SD103B |
IR |
|
|
5 |
μA |
| VR=10V |
SD103C |
IR |
|
|
5 |
μA |
| Capacitancia del diodo |
VR=VF =0, f=1MHz |
|
CD |
|
50 |
|
PF |
| Tiempo de recuperación reversa |
IF=IR=200mA a 0.1mA |
|
trr |
|
10 |
|
ns |
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